| 发明名称 | 一种制造具有高k栅极电介质的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用于制造半导体器件的方法。此方法包括在衬底上形成电介质层，所述电介质层所具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数。在电介质层上形成绝缘层，所述绝缘层与电介质层和将被形成在绝缘层上的栅电极相兼容，并且然后在所述绝缘层上形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1522463A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN03800503.4 | 申请日期 | 2003.05.22 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 罗伯特·周;礼萨·阿尔加瓦尼 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成电介质层，所述电介质层所具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数；在所述电介质层上形成绝缘层，所述绝缘层与所述电介质层和将被形成在所述绝缘层上的栅电极相兼容；以及然后在所述绝缘层上形成栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||