| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 在栅电极(5)和漏电极(8)之间的沟道层(2)上的绝缘膜(6)上形成场控制电极(9)。氧化钽(Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>)例如可以用做绝缘膜(6)的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1162917C | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN99110924.4 | 申请日期 | 1999.06.16 |
| 申请人 | NEC化合物半导体器件株式会社 | 发明人 | 水田正志;葛原正明;梨本泰信;麻埜和则;三好阳介;望月康则 |
| 分类号 | H01L29/812 | 主分类号 | H01L29/812 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，具有带有形成于其表面上的沟道层的半导体衬底，在所述半导体衬底上相距一定距离形成的源电极和漏电极，和位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极，所述栅电极与所述沟道层形成肖特基结，场控制电极形成在所述栅电极和所述漏电极之间的所述沟道层上的绝缘膜上，所述场控制电极不与所述栅电极和漏电极搭叠。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||