薄膜电晶体的制造方法

摘要

本发明是提供一种薄膜电晶体的制造方法，此种方法包括下列步骤：在基板上形成基极及源极金属层，在基极及源极金属层上覆上一层氧化矽层，在氧化矽层上执行高温制程；在氧化矽层上覆上一层氮化矽层；结合氮化矽与氧化矽层以形成ILD层；以及对ILD层执行氢化制程；藉由上述步骤可达成离子活化的效果，并使得元件得到充分的氢原子修补，进而改善元件的特性表现与稳定。

主权项

1.一种薄膜电晶体的制造方法，其特征在于，该制造方法包括下列步骤：在一基板上形成一汲极及一源极金属层；在该汲极及该源极金属层上覆上一层氧化矽层；在该氧化矽层上执行一高温制程；在该氧化矽层上覆上一层氮化矽层；结合该氮化矽与该氧化矽层以形成一ILD层；以及对该ILD层执行氢化制程；藉由上述的步骤以便达成离子活化的效果，并使得元件得到充份的氢原子修补，进而改善元件的特性表现与稳定。