| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。 | ||
| 申请公布号 | CN1521812A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN200410000803.3 | 申请日期 | 1998.03.04 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||