| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，能够抑制图形坍塌，形成微细的空间图形或微细的线图形。在衬底上形成底层膜，在底层膜上形成抗蚀剂图形，在形成了该抗蚀剂图形的底层膜上形成玻璃上的转涂膜，以便覆盖抗蚀剂图形。然后，去除抗蚀剂图形，在玻璃上的转涂膜上形成反转图形。以该玻璃上的转涂膜为掩模，对底层膜进行刻蚀，形成微细的图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1521803A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN200310118368.X | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 山口敦美 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：底层膜形成工序，在衬底上形成底层膜；抗蚀剂图形形成工序，在上述底层膜上形成抗蚀剂图形；玻璃上的转涂膜形成工序，在上述底层膜的露出表面的部分形成玻璃上的转涂膜；抗蚀剂图形去除工序，去除上述抗蚀剂图形；以及底层膜刻蚀工序，以上述玻璃上的转涂膜为掩模，对上述底层膜进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||