| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN1521867A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN200410003659.9 | 申请日期 | 2004.02.05 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 太田清久;中津弘志;佐佐木和明;中村淳一 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||