形成后特征的优化

摘要

一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征理想的尺寸。另一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度，该方法包括在壁的至少一部分上淀积一种基底材料，使得更容易在壁上，在基底材料的顶部以限定的，均匀的方式镀覆材料，和在壁的至少一部分上镀覆材料，直至达到该特征的理想尺寸。

主权项

1.一种优化特征的方法，该特征由晶片材料上的一个壁界定，精度可达1微米以上，其特征在于，该方法包括：通过将壁暴露在反应气体中用反应气体对壁进行处理，使壁变成包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征的理想尺寸。