| 发明名称 | 有机半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种有机半导体器件的生产方法，通过这种方法，具有可选配置的有机半导体器件能很容易的生产出来。提供一种由栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极和有机半导体层组成的有机半导体器件的生产方法，该方法包含以下步骤：1)形成导电聚合物前体的单体层；2)在特定的温度下保持单体层；并3)在单体层所需位置应用氧化剂溶液以获得具有所需的电导率的聚合物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1522473A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN03800529.8 | 申请日期 | 2003.02.04 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 久保田纯;小林本和 |
| 分类号 | H01L51/40 | 主分类号 | H01L51/40 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造由栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极、和有机半导体层组成的有机半导体器件的方法，包括以下步骤：1)形成导电聚合物前体的单体层；2)在特定的温度下保持所述单体层；并3)在单体层所需位置涂覆氧化剂溶液以获得具有所需电导率的聚合物层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||