| 发明名称 | 半导体集成电路器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1521825A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN200410000804.8 | 申请日期 | 1998.03.04 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/316;H01L21/28;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；(b)通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；(c)在步骤(b)之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；(d)保持如此合成的水蒸汽为气态并将其送入处理室中以形成湿氧化气氛；(e)在所述处理室中的湿氧化气氛下，对所述有源区中的一个有源区上方的硅表面部分施行热氧化处理以形成绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||