| 发明名称 | 具有用于改善可靠性和雪崩耐受性的结合的二极管的高压SOI LDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种混合型半导体器件，其中把一个或数个二极管区结合到一个晶体管区内。在一个优选实施装置中，晶体管区是一个连续的(自终结型)SOI LDMOS器件，其中结合了一个或几个二极管部分。在二极管部分内，由于只有一个PN结，故不存在由双极接通而造成击穿损坏的机制。二极管区做得使之具有比晶体管区较低的击穿电压，因而任何过渡电压(或电流)诱发的击穿必然被限制在二极管区。在一个优选实施装置中，通过把二极管部分的场极长度做得比器件晶体管部分更短而使其击穿电压降低。这使得器件能免于被任何此类击穿毁坏的危险，从而获得一个更结实可靠的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1522468A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN02813182.7 | 申请日期 | 2002.06.20 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | J·佩特鲁泽罗;T·J·莱塔维克;M·R·辛普森 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L27/12;H01L29/06 | 主分类号 | H01L27/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种混合型半导体器件，包括：比较耐击穿的第一部分(见图3)；和不太耐击穿的第二部分(110，见图2)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||