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发明名称
Circuit and method for testing a ferroelectric memory device
摘要
申请公布号
EP1333446(A3)
申请公布日期
2004.08.18
申请号
EP20030250538
申请日期
2003.01.29
申请人
STMICROELECTRONICS, INC.
发明人
MCCLURE, DAVID C.
分类号
G11C11/22;G11C29/12;G11C29/50;(IPC1-7):G11C29/00
主分类号
G11C11/22
代理机构
代理人
主权项
地址
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