| 发明名称 | 电子束曝光方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电子束曝光方法，其使电子放射源(14)所放射的电子束(22)通过设于模版遮罩(18)的孔口后导引至曝光试样(12)，并将其曝光的方法，其中包括：将电子束于电子束到达模版遮罩孔口前置于以低速行进的低电场强度下，然后，将通过上述模版遮罩的孔口的电子束置于以高速行进的高电场强度下。本发明公开的电子束曝光装置包括：电子放射源；具有容许电子放射源所放射的电子束通过的孔口的模版遮罩；用以支撑曝光试样的支承台(16)；用以将电子束置于低电场强度下的低电场产生机构；及用以置于高电场强度下的高电场产生机构。 | ||
| 申请公布号 | CN1522390A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN03800541.7 | 申请日期 | 2003.06.26 |
| 申请人 | PD服务株式会社 | 发明人 | 久继德重 |
| 分类号 | G03F7/20;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/20 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种电子束曝光方法，将电子放射源所放射的电子束通过设于模版遮罩的孔口后导引至曝光试样，并使该电子束曝光的方法，其中，使上述电子束于电子束到达上述模版遮罩孔口前置于以低速行进的低电场强度下，然后，使通过上述模版遮罩孔口的电子束置于以高速行进的高电场强度下。 | ||
| 地址 | 日本东京都调布市 | ||