| 主权项 |
1、一种直流操作三相交流接触器智能控制模块，包含带有引出线端的模块固化壳体(1)和固化于壳体内的内部电路，内部电路包含由二极管D1、D3、D5和二极管D7、D8、D9构成、用于向接触器直流电磁线圈供电的三相桥式整流电路，其特征为：内部电路还包含分别由电阻R1和电容C1并联再与二极管D2反向串联、电阻R2和电容C2并联再与二极管D4反向串联、电阻R3和电容C3并联再与二极管D6反向串联而构成的三个支路，三个支路中的二极管D2、D4、D6的正极端相连，形成模块的公共参考地点(GND)，三个支路的另一端分别与二极管D7、D8、D9的负极端相连，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间串联有接触器的常闭辅助触点Jb，在内部电路中还包含一个微处理器(CPU)和微处理器的供电电路，微处理器的供电电路包含由三极管BG3、串接于三极管BG3基极回路的单刀开关K1、电阻R4、稳压二极管DW1组成的直流降压电路和由三端稳压器IC2组成的稳压电路，其中三极管BG3的集电极与三相桥式整流电路的正电压输出端相连，发射极与三端稳压器IC2的正电压输入端相连接，接触器的直流电磁线圈的负极端与二极管D7、D8、D9的正极之间还串联有双向可控硅S1，其控制极g连接有受微处理控制的双向可控硅通断控制电路，该双向可控硅S1的通断控制电路包含三极管BG1，双向可控硅S1的控制极g通过限流电阻R12与三极管BG1的集电极相连，三极管BG1的发射极接地，三极管BG1的基极通过基极电阻R5、接地电阻R6接于微处理器的输出端口P1，直流电磁线圈的负极端通过一个受微处理器控制的受控支路与模块的公共参考地点相连，该受控支路包含三极管BG2，直流电磁线圈的负极端经接触器的常开辅助触点Ja与三极管BG2的集电极相连，三极管BG2的发射极接地，三极管BG2的基极通过基极电阻R8，接地电阻R9接至微处理器的相应输出端口P2。 |
