| 发明名称 |
Thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention through the use of essentially smooth bottom electrode structures |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
USRE38565(E1) |
申请公布日期 |
2004.08.17 |
| 申请号 |
US20030359997 |
申请日期 |
2003.02.06 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
HAYASHI SHINICHIRO;OTSUKI TATSUO |
| 分类号 |
H01L21/02;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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