薄膜之电浆蚀刻时之端点侦测方法和装置

摘要

本发明揭示一种在蚀刻具有第一层淀积在端点产生层上之层堆叠的同时，用以控制电浆蚀刻处理之方法。该方法包括在监测横越电浆处理室内部的光束之吸收率的同时，蚀刻穿过第一层及至少局部穿过端点产生层，其中端点产生层选自当蚀刻时在吸收率上产生可侦测变化之材料。端点产生层的特征为第一特征及第二特征的至少其中之一。第一特征系不足的厚度以充作蚀刻停止层，而第二特征系对用于蚀刻穿过第一层的蚀刻剂之不足的选择性以充作蚀刻停止层。该方法另外包括依据侦测可侦测变化产生端点信号。