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发明名称
移除光阻剂用之超临界二氧化碳/化学配方
摘要
本发明系关于一种用于自半导体基材移除光阻剂及离子植入光阻剂之光阻剂清洁组成物。对使用于移除非离子植入之光阻剂,此清洁组成物包含超临界CO2(SCCO2)及醇。当光阻剂经进行离子植入时,清洁组成物另包含氟离子源。此种清洁组成物可克服SCCO2作为清洁剂之固有缺失,即SCCO2之非极性特性及其所面临之无法溶解存在于光阻剂中,且必需将其自半导体基材移除以达到有效率清洁之物种诸如无机盐及极性有机化合物。此清洁组成物可无损伤、无残渣地清洁其上具有光阻剂或离子植入光阻剂之基材。
申请公布号
TW200415239
申请公布日期
2004.08.16
申请号
TW092128269
申请日期
2003.10.13
申请人
尖端科技材料公司
发明人
麦克科尔珊斯基;艾里欧多汉石;苏中因;汤玛斯包姆
分类号
C11D7/26
主分类号
C11D7/26
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
美国
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