发明名称 非挥发性可变电阻器、记忆体装置及非挥发性可变电阻器之定比方法
摘要 一种非挥发性可变电阻器设有一种结构,能抑制在应用定比加以缩小一平面上投影面积之情况中之阻抗增加,设有一使用非挥发性可变电阻器之记忆体装置,及一非挥发性可变电阻器之定比方法。形成在一基底上之一第一电极和一第二电极在基底一表面之一方向中彼此面对。使用第一电极作为内电极,一非挥发性可变阻抗体是形成在第一电极之一外表面上而第二电极是形成在非挥发性可变阻阻抗体一外表面上,作为一外电极。
申请公布号 TW200415649 申请公布日期 2004.08.16
申请号 TW092130983 申请日期 2003.11.05
申请人 夏普股份有限公司 发明人 田尻雅之
分类号 G11C11/21;H01C13/00 主分类号 G11C11/21
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本