| 主权项 |
1.一种积体化复合奈米探针卡之制造方法,其包含有下列步骤:一、准备一基板,该基板具有一多孔状表面;二、将一触媒材料依一预定之布局布设于该基板之该多孔状表面上,而于该表面上形成多数触媒带,且各该触媒带中密布有多数微细的触媒基;三、将该等触媒带曝露于一高于常温且具预定气体的环境中,使各该触媒基与该气体产生化学反应,而于各该触媒带上生成一束实质上平行的奈米管或奈米柱;四、着覆一结合材料于各该束上,并使该结合材料渗入该等奈米管或奈米柱之间隙中。2.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第一步骤中,该基板系一p-doped n+-type si(100)基板,且利用氢氟酸溶液、铂为阴极对该基板之一表面进行电化学蚀刻,使该表面上形成多孔结构,其中每一孔之直径在3nm以下。3.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第二步骤中,该触媒材料系为Fe,且在该第三步骤中,该气体为C2H2。4.依申请专利范围第3项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第三卡骤中,该触媒材料系以微影(lithography)和蒸镀(evaporation)技术呈矩阵状布设于该多孔状表面上。5.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第三步骤中,该基板系被置放入一气相沈积(CVD)之炉管中,且昇高该炉管中之温度,并导入C2H2气体,使该等触媒基与该气体产生化学反应,而于该触媒带中结晶长成一束实质上平行且垂直该表面的奈米碳管。6.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中所述之结合材料系为金属材料。7.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中所述之结合材料系为铜。8.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中所述之结合材料系为绝缘材料。9.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中所述之结合材料系为橡胶。10.依申请专利范围第6项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中,系以电镀法着附该金属材料于各该束奈米管或奈米柱上,并使该金属材料渗入各该奈米管或奈米柱之间隙中。11.依申请专利范围第10项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中,该金属材料系包覆于各该束米管或奈米柱上,并渗入各该奈米管或奈米柱之间隙中。12.依申请专利范围第9项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,在该第四步骤中,该橡胶材料系披覆于各该束米管或奈米柱之周侧表面上,并渗入各该奈米管或奈米柱之间隙中,使该束奈管或奈米束之顶部露出作为电气导接用。13.依申请专利范围第1项所述之积体化复合奈米探针卡之制造方法,接续于该步骤四后,更包含有下列二步骤:一、以液态树环氧脂铺设于该基板之该表面上,使该液态环氧树脂包覆各该复合探针之基端,待该环氧树脂固化后形成一基层。二、除去该基板,此时该基层具有一正面及一背面,且各该探针之基端曝出该基层之背面;于曝出该基层背面之各该复合探针的基端上制作形成一金属凸块。14.一种复合探针,其具有一束实质上平行的奈米管或奈米柱、以及一结合于该束上且渗入该等奈米管或奈米柱之间隙中的结合材料。15.依申请专利范围第14项所述之复合探针,其中,该等奈米管或奈米柱之材质为碳。16.依申请专利范围第14项所述之复合探针,其中,该结合材料为铜。17.依申请专利范围第14项所述之复合探针,其中,该结合材料为橡胶。18.依申请专利范围第14项所述之复合探针,其中,该结合材料系包覆于各该束米管或奈米柱上,并渗入各该奈米管或奈米柱之间隙中。19.依申请专利范围第14项所述之复合探针,其中,该结合材料系披覆于各该束米管或奈米柱之周侧表面上,并渗入各该奈米管或奈米柱之间隙中。20.一种积体化复合奈米探针卡,其包含有:一基层,其具有一正面及一背面;多数复合探针,各该探针具有一束实质上平行的奈米管或奈米柱、以及结合于各该束上且渗入该等奈米管或奈米柱之间隙中的结合材料,且各该探针具有一基端及一末端;该等探针系分布设于该基层上,各该探针之基端曝出该基层之背面,末端则位于该基层正面之相对上方。21.依申请专利范围第20项所述之积体化复合奈米探针卡,其中,该基层系为环氧树脂。22.依申请专利范围第20项所述之积体化复合奈米探针卡,其中该等奈米管或奈米柱之材质为碳。23.依申请专利范围第20项所述之积体化复合奈米探针卡,该结合材料为铜。24.一种针组,系包含有:一基板,该基板具有一多孔状表面;多数针体,该等针体系以预定之排列方式直立设于该多孔状表面上;各该探针具有一束实质上平行的奈米管或奈米柱、以及结合于该束上且渗入该等奈米管或奈米柱之间隙中的结合材料。25.依申请专利范围第24项所述之针组,其中该等奈米管或奈米柱之材质为碳。26.依申请专利范围第24项所述之针组,该结合材料为铜。27.依申请专利范围第24项所述之针组,该基板之材质为p-doped n+-type si(100)。图式简单说明:第一图 系完成本发明方法第一步骤后之成品的剖视图第二图 系完成本发明方法第二步骤后之成品的上视图第三图 系完成本发明方法第三步骤后之成品的剖视图第四图 系完成本发明方法第四步骤后之成品的剖视图第五图 系第四图A部份之放大图第六图 系沿第五图第6-6线之剖视图第七图 系完成本发明方法第五步骤后之成品的剖视图第八图 系完成本发明方法第六步骤后之成品的剖视图 |
