| 主权项 |
1.一种凸块高度修正方法,适于修正一基材上复数个凸块的高度,该凸块高度修正方法包括:提供一凸块材质剥除剂;以及令该凸块材质剥除剂与该些凸块中较高者的部分材质产生化学反应,以将该些凸块中较高者的高度修正至与该些凸块中较低者的高度一致。2.如申请专利范围第1项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由一容器容纳,而该些凸块中较高者浸泡于该容器中的该凸块材质剥除剂液面下。3.如申请专利范围第1项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由复数个容器容纳,而该些凸块中较高者分别浸泡于该些容器中的该凸块材质剥除剂液面下。4.如申请专利范围第1项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由一海绵吸纳,而该些凸块中较高者与该海绵接触。5.如申请专利范围第1项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂之材质包括甲基磺酸。6.如申请专利范围第1项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂之材质包括硝酸及醋酸之混合酸。7.一种凸块高度修正方法,适于修正一基材上一凸块的高度,该凸块高度修正方法包括:提供一凸块材质剥除剂;以及令该凸块材质剥除剂与该凸块的部分材质产生化学反应,以将该凸块的高度修正至一特定高度。8.如申请专利范围第7项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由一容器容纳,而该些凸块中较高者浸泡于该容器中的该凸块材质剥除剂液面下。9.如申请专利范围第7项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由复数个容器容纳,而该些凸块中较高者分别浸泡于该些容器中的该凸块材质剥除剂液面下。10.如申请专利范围第7项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂系藉由一海绵吸纳,而该些凸块中较高者与该海绵接触。11.如申请专利范围第7项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂之材质包括甲基磺酸。12.如申请专利范围第7项所述之凸块高度修正方法,其中该凸块材质剥除剂之材质包括硝酸及醋酸之混合酸。图式简单说明:第1图绘示习知焊料转移至晶片之示意图;第2图绘示第1图中焊料经过回焊后在晶片上形成凸块之示意图;第3A~3C图绘示依照本发明第一实施例之修正凸块高度之流程示意图;第4图绘示依照本发明第一实施例之另一容器的示意图;以及第5A~5B图绘示依照本发明第二实施例之修正凸块高度之流程示意图。 |
