| 主权项 |
1.一种形成高密度非挥发性记忆体编码的方法,包含有:提供一阵列区(array region),具有排成阵列之复数可程式化区;于该阵列区上形成一图案化之遮蔽层,选择性的遮蔽该等可程式化区,该遮蔽层系具有一线/距(line/space)图案;以及对该阵列区中,未被该遮蔽层覆盖处,进行离子布値,以程式化该阵列区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该阵列区包含有复数条第一沟槽(trench),以及复数条预编码(per-coding)沟槽,该等第一沟槽系与该等预编码沟槽相垂直,每一可程式化区系为该等第一沟槽其中之一与该等预编码沟槽其中之一所形成之交叉区域所构成。3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该线/距图案中之复数线大致于该等第一沟槽相平行。4.如申请专利范围第2项之方法,其中,该线/距图案中之复数线大致位于该等第一沟槽上5.如申请专利范围第2项之方法,其中,该线/距图案中之复数线与该等第一沟槽切齐(align)。6.如申请专利范围第2项之方法,其中,该等第一沟槽之间的该阵列区上堆叠有一氧化矽层(siliconoxide)以及一氮化矽层(silicon nitride)。7.如申请专利范围第2项之方法,其中,该等预编码沟槽之间的该阵列区上,具有一氧化矽层。8.一种用于程式化一非挥发性记忆体之编码光罩,该非挥发性记忆体具有一阵列区,该阵列区具有排成阵列之复数可程式化区,该光罩系具有一线/距(line/space)图案,用以程式化该阵列区。9.如申请专利范围第8项之编码光罩,其中,该阵列区包含有复数条第一沟槽(trench),以及复数条预编码(per-coding)沟槽,该等第一沟槽系与该等预编码沟槽相垂直,每一可程式化区系为该等第一沟槽其中之一与该等预编码沟槽其中之一所形成之交叉区域所构成。10.如申请专利范围第9项之编码光罩,其中,于程式化该阵列区前,该线/距图案系被转移至该阵列区上之一遮蔽层。11.如申请专利范围第10项之编码光罩,其中,该遮蔽层中之复数线大致于该等第一沟槽相平行。12.如申请专利范围第10项之编码光罩,其中,该遮蔽层中之复数线大致位于该等第一沟槽上。13.如申请专利范围第10项之编码光罩,其中,该遮蔽层中之复数线与该等第一沟槽切齐(align)。14.如申请专利范围第10项之编码光罩,其中,该等第一沟槽之间的该阵列区上堆叠有一氧化矽层(silicon oxide)以及一氮化矽层(silicon nitride)。15.如申请专利范围第8项之编码光罩,其中,该光罩系为一相位移(phase shift)光罩、一二维式(binary)光罩以及一无铬膜形(chromeless)光罩其中之一。图式简单说明:第1A图为一资料尚未写入记忆体前的一阵列区上视图;第1B图为第1A图中延着AA线的切面图;第1C图为第1A图中延着BB线的切面图;第2图为一习知的编码光罩;第3A图为使用第2图之编码光罩转移图案至阵列区上的光阻层之上视图。第3B图为第3A图中延着AA线的切面图。第3C图显示先前技术中不对准所造成的问题。第4图为依据本发明的一编码光罩。第5A图为使用第4图之编码光罩50转移图案至阵列区上的光阻层之上视图。第5B图为第5A图中延着AA线的切面图。第5C图显示第4图之光罩于微影制程时不对准,所形成的切面图。 |
