| 主权项 |
1.一种去除一聚合物保护层的方法,该去除方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材,其上具有一闸极;共形生成一氧化物层于该半导体底材与该闸极上;形成一介电层于该氧化物层上;藉由该氧化物层当成一蚀刻终止层进行一非等向性蚀刻制程以蚀刻该介电层直到曝露该氧化物层的表面为止,同时形成一间隙壁于该闸极之一侧壁上,且在非等向性该蚀刻制程完成后形成一聚合物保护层于该间隙壁与该氧化物层的表面上以保持蚀刻外型;与进行一具有一氢氟酸溶液之移除制程以去除该聚合物保护层,其中该氢氟酸溶液的混合比例约为700:1至1500:1之间。2.如申请专利范围第1项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之介电层至少包含一氮化物层。3.如申请专利范围第1项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之非等向性蚀刻制程至少包含一乾蚀刻制程。4.如申请专利范围第1项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之非等向性蚀刻制程至少包含一具有高碳氟比(C/F)之反应气体。5.如申请专利范围第1项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之移除制程至少包含一等向性蚀刻制程。6.如申请专利范围第5项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之等向性蚀刻制程至少包含一湿式蚀刻制程。7.一种去除一聚合物保护层的方法,该去除方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材;形成一氧化物一氮化物一氧化物层于该半导体底材上;形成且定义一光阻层于该氧化物一氮化物一氧化物层上;藉由光阻层当成一蚀刻罩幕进行一非等向性蚀刻制程以蚀刻该氧化物-氮化物-氧化物层直到曝露该半导体底材的表面为止,且在该非等向性蚀刻制程完成后形成一聚合物保护层于蚀刻侧壁与该半导体底材的表面上以保持蚀刻外型;去除该光阻层;与进行一具有一混酸溶液SC1之移除制程以去除该聚合物保护层,其中,该混酸溶液SC1系为一氨水、一双氧水与一去离子水所组成,且其温度约小于35℃。8.如申请专利范围第7项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之非等向性蚀刻制程至少包含一乾蚀刻制程。9.如申请专利范围第7项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之非等向性蚀刻制程至少包含一具有高碳氟比(C/F)之反应气体。10.如申请专利范围第7项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之移除制程至少包含一等向性蚀刻制程。11.如申请专利范围第10项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之等向性蚀刻制程至少包含一湿式蚀刻制程。12.如申请专利范围第7项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之氨水、一双氧水与一去离子水的混合比率约为1:1:5至1:1:40之间。13.一种在去除一聚合物保护层时可避免氧化物损失的方法,该避免氧化物损失的方法至少包含下列步骤:提供一半导体底材,其上具有一记忆体阵列之一第一导体层与一周边电路区之一第二导体层;形成一氧化物-氮化物-氧化物层于该第一导体层与该第二导体层上;形成一光阻层于该氧化物一氮化物一氧化物层,且定义位于该第二导体层之该氧化物-氮化物-氧化物层上的该光阻层;藉由该光阻层当成一蚀刻罩幕进行一乾蚀刻制程以蚀刻位于该第二导体层之该氧化物-氮化物-氧化物层与该第二导体层直到曝露该周边电路区之该半导体底材的表面为止,其中上述之乾蚀刻制程完成后,于该记忆体阵列与该周边电路区之蚀刻侧壁上将形成一聚合物保护层以维持蚀刻轮廓;去除该光阻层;与进行一具有一混酸溶液与一氢氟酸溶液之湿式蚀刻制程以去除该聚合物保护层,其中,该氢氟酸溶液的混合比约为700:1至1500:1之间,且该混酸溶液之温度约小于35℃。14.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之第一导体层至少包含一多晶矽层。15.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之第二导体层至少包含一多晶矽层。16.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之乾蚀刻制程至少包含一具有高碳氟比(C/F)之反应气体。17.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之湿式蚀刻制程至少包含一约大于3000cc/min之流量。18.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之混酸溶液至少包含一氨水。19.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之混酸溶液至少包含一双氧水。20.如申请专利范围第13项所述之避免氧化物损失的方法,其中上述之混酸溶液至少包含一去离子水。21.如申请专利范围第1项所述之聚合物保护层的去除方法,其中上述之氢氟酸溶液的流量约大于3000cc/min。图式简单说明:第一A图至第一C图系为根据本发明之第一较佳实施例中,利用高流量之超稀薄氢氟酸溶液,以去除聚合物保护层之制程的结构剖面图;第二A图至第二C图系为根据本发明之第二较佳实施例中,利用低温之混酸溶液(APM),以去除聚合物保护层之制程的结构剖面图;与第三A图至第三C图系为根据本发明之第三较佳实施例中,利用高流量之超稀薄氢氟酸溶液与低温之混酸溶液(APM),以去除聚合物保护层之制程的结构剖面图。 |
