| 主权项 |
1.一种用作制备由立体化学性控制属于通式Ⅰ化 合物之方法, 其中, n 代表0或1, R1 代表氢、C1-C6-烷基或有时在苯基环中,一次至三 次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基或低卤烷氧基 取代之苯基-C1-C6-烷基,而 R2 代表氢,或 R1及R2 共同代表一双连接之甲基组,其被C1-C5-烷基 或有时在苯基环中,可以一次至三次被低烷基、低 卤烷基、低烷氧基或低卤烷氧基取代之苯基,C1-C6- 烷基, R3 代表氢,及 R4 代表氢、低烷基或有时在苯基环中,一次至三次 被低烷基、低卤烷基,低烷氧基或低卤烷氧基取代 之苯基低烷基,或 R3及R4 共同代表一C2-之烷撑链,或一有时含1至3双 键之C3-C6-烷撑链,其有时一或两次,被低烷基取代 之C1-C2-烷基搭桥起, R5 代表氢、低烷基、羟基、低烷氧基,在苯基环中 一次至三次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基、或 低卤烷氧基取代之苯基低烷基或苯基低烷氧基, R6 代表氢,及 R7 代表氢,及 R8 代表氢、氰基、有时具有时为一个含一至三个 双键之环脂肪性,或直链性或分枝之脂肪性C1-C6醇 类,其有时可一至三次被卤素或低烷氧取代,或亦 以有时在苯基环中,一次至三次被低烷基、低卤烷 基、低烷氧基或低卤烷氧基取代之苯基低醇类酯 化之羧基,有时在氮原子中简单被C3-C8-环烷基低烷 氧基或直链或分枝之脂肪性C1-C6-烷氧基,其有时每 个一次至三次被卤素或低烷氧基取代,或有时在苯 环处,一次或三次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基 或低卤烷氧基取代之苯基低烷氧,或在氮原子上一 次或两次被C3-C8-环烷基低烷基,或直链性或分枝之 脂肪性C1-C6烷基,其有时可以每个一次至三次被卤 素或低烷氧基取代,或被低烷基、低卤烷基、低烷 氧基或低卤烷氧基取代之苯基低烷基,或亦为在氮 上有一个合适之胺基保护组取代之羰胺基、有时 一次至三次不饱和之、具有3至10环碳原子之单或 双环性系统,其环碳原子可以一次至三次被氮、氧 及/或硫取代,而其环系统一次至三次被低烷基、 低卤烷基、低烷氧基、羟基、卤素,或被一个在环 系统中,可以有两个相邻碳原子与联结之氧原子之 低烷撑取代,或 亦可以有时代表含一至三双键,直链或分枝之C1-C12 -烷基,其中一次至三次被卤素、羟基、低烷氧,有 时具有时为一个一至三个双键之环脂肪性,或直链 性式分枝之脂肪性C1-C6醇类,其有时可一至三次被 卤素或低烷氧取代,或亦以有时在苯基环中,一次 至三次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基或低卤烷 氧基取代之苯基低醇类酯化之羧基、氰基、氢硫 基、低烷硫基、胺基、低烷基胺基,有时在氮原子 中简单被C3-C8-环烷基低烷氧基或直链或分枝之脂 肪性C1-C6-烷氧基,其有时每个一次至三次被卤素或 低烷氧基取代,或有时在苯环处,一次或三次被低 烷基、低卤烷基、低烷氧基或低卤烷氧基取代之 苯基低烷氧,或在氮原子上一次或两次被C3-C8-环烷 基低烷基,或直链性或分枝之脂肪性C1-C6烷基,其有 时可以每个一次至三次被卤素或低烷氧基取代,或 被低烷基、低卤烷基,低烷氧基或低卤烷氧基取代 之苯基低烷基,或亦为在氮上有一个合适饮胺基保 护组取代之羰胺基,一个有时一次至三次不饱和, 具有3至10碳环原子系统,其环碳原子可一次至三次 被氮、氧及/或硫取代,而其环系统一次至三次被 低烷基,低烷氧基、羟基、卤素,或被一个在环系 统中,可以有两个相邻碳原子与 联结之氧原子之低烷撑链取代,附有指示为n=1,R5及 R8非两者均为氢,或 R5及R8 亦共同与一起连接之碳原子,形成一个有时 含有1至3个双键,单或双环性、具5至10碳原子之环 系统,其非带有取代组R5或R8之碳原子,一次至三次 可被硫、氧及/或氮取代,而其在有需要时,一次至 三次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基、低卤烷氧 基、羟基、卤素,被一个在环系统中,可以有两个 相邻碳原子与联结之氧原子之低烷撑取代,或 R6及R7 可能共同形成一个键,而 R5及R8 与一个其共同连接之碳原子,形成一个芳香 性之C6-环系统,其与其他具2至4碳原子,及一总共具 8至10环碳原子环化成一个具有3至5双键之双环系 统,其中此C6-至C10-环系统,非带有取代组R5或R8之碳 原子,可一次至三次被硫、氧及/或氮取代,而其中 之C6-至C10-环系统,在有需要时,可以一次至三次被 低烷基、低卤烷基、低烷氧基、低卤烷氧基、羟 基、卤素,被一个在环系统中,可以有两个相邻碳 原子与联结之氧原子之低烷撑取代, R9 代表氢、低烷基,有时在苯基环中一次至三次被 低烷基、低卤烷基、低烷氧基、或低卤烷氧基取 代之苯基低烷基,或一胺基保护组,或 R8及R9 可能共同形成一个C3-C4-烷撑链,及 Y 代表氧或NH 及其酸附加盐类,其中有需要时,在式Ⅰ化合物存 在之反应活性组别,被适合之保护组阻挡,其特征 为, a) 通式Ⅱ之化合物, 其中R3及R4代表上述之意义,如R101除不能代表一个 有时被取代之甲基外,亦代表上述对于R1之意义,Ar 代表一个有时一次至三次,被低烷基取代之苯基,R 10代表低烷基或有需要时在苯基环中,一次被低烷 基或被一个合适之保护组保护之,被羟基取代之苯 基,或有需要时在苯基环中,一次被低烷基取代之 苯基低烷基,而R1101代表一个硅烷基-保护组,依次 以一种合适用作其去质子性之硷基,与通式Ⅶ之一 个金属有机反应剂, XM2(OR12)3 Ⅶ 其中X代表卤素,M2代表一个四价之过渡性金属,及R 12代表低烷基、苯基、苯低烷基,与通式Ⅷ之一个 立体异构物反应 其中R5、R6、R7及n具有上述之意义,R801拥有R8之意 义,其中全部情况下反应活性之组别,有需要时被 对硷基稳定之保护组阻挡,R901代表氢,或与R801共同 代表一C3-C4-烷撑链,而R13代表一个胺基-保护组,其 在分解时留下一个氮亲核组,形成一个属于通式IX 之一个一个立体异构物, 其中R101、R3、R4、R5、R6、R7、R801、R901、R10、R1101 、R12、R13、n、Ar及M2有上述意义, b) 将制得之式IX化合物,藉由与一个合适用作除去 组R13之反应剂之处理,转化为一个通式Xa之化合物, 其中R101、R3、R4、R5、R6、R7、R801、R901、R10、n及Ar 具有上述意义,R11代表氢或一个硅烷基-保护组,及 如果R901代表氢时,在形成之式Xa化合物中,将环性 基本骨架上之碳原子,以一个对硷基稳定之保护组 阻挡,及将一个有时仍存在之硅烷基保护组R11分解 掉,而且 c) 在制备通式Ia之化合物时, 其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R801及n具有上述意 义,而R902代表一个对硷基稳定之保护组,或共同与R 801代表一个C3-C4烷撑链, ca) 将一个制得之式Xa化合物,或一个藉由将硅烷基 保护组别R11分解而产生之化合物,与一个适合用作 还原性分解硫醯亚胺基-烷基-化合物之反应剂反 应,以制得通式Ib之化合物, 其中之R101、R3、R4、R5、R6、R7、R801、R902及n具有 上述意义,或 cb) 在一个制得之式Xa化合物中,其中R101不代表氢, 将硫醯亚胺基-烷基-化合物,在亲电子性活化硫醯 亚胺基单位后,在一个硷基诱导之分解作用后分解 ,以获得式Ic之化合物, 其中之R3、R4、R5、R6、R7、R801、R902及n具有上述意 义,而R102代表一个C1-C5-烷基,或有时在苯基环中一 次至三次被低烷基、低卤烷基、低烷氧基或低卤 烷氧取代之苯低烷基取代,而其低烷撑链可含有1 至5个碳原子, 并将一个获得之式Ia化合物,在有需要时一次和多 次藉由反应,每次在环碳原子3-位置构型之逆转下, 与一个在3-位置中,用作重新产生一个OH-组别,或重 新产生一个NH2-组别,合适之亲核性反应剂反应,及/ 或在有需要时,将式Ia化合物中之全部情况保护组 再次分解,并且在有需要时,将环骨架第1-位置中可 能释放之NH-组别,与一个用作N-烷基化或一个有能 力用作形成醯胺之反应剂反应,或以一个胺基保护 组阻挡,以制备式Ⅰ之化合物,及将式Ⅰ之游离化 合物,在有需要时转化为酸附加盐,或将式Ⅰ之酸 附加盐,转化为游离之化合物。 2.根据申请专利范围第1项所述之方法,相作制备通 式Ia之化合物,其在环性骨架中之5-位置R1R2CH-组别, 及环性骨架中3-位置羟基组,互相作为一个"反"-方 向时,而其中环性骨架4-位置之取代组R4,及在3-位 置之羟基,互相为"顺"-方向,可以在有需要时,根据 有时会存在之保护组R801及/或R902之分解,由式Ia化 合物制备。 3.根据申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其 中在式Ⅷ化合物中作为胺基保护组R13使用,为一硷 基敏感之保护组,而其中在方法步骤b)中,作为清除 保护组R13之反应剂为一个硷基。 4.根据申请专利范围第3项所述之方法,其中硷基敏 感之保护组,为茀-9-基-甲基氧羰-根基。 5.根据申请专利范围第4项所述之方法,其中作为硷 基者采用啶。 6.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中最少在 方法步骤a)中使用甲苯作为溶剂。 7.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中在方法 步骤ca)中,使用于还原性分解在通式Xa中硫乙二醯 亚胺-烷基化合物之反应剂,为碘化鏾(Ⅱ)。 8.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中在通式 Ⅰ、Ia、Ib、Ic、Ⅱ、IX及Xa之化合物中,R4均不能代 表氢。 9.根据申请专利范围第1项所述之方法,其中作为硅 烷基保护组R1101,采用三级-丁酯二甲基硅烷基或二 甲基硅烷基。 10.一种根据申请专利范围第1项所述通式Ib及Ic之 化合物,其中在环性骨架中5-位置R1R2CH-组别,及环 性骨架中3-位置羟基组,互相作为一个"反"-方向时, 而其中环性骨架4-位置之取代组R4,及在3-位置之羟 基-组,互相为"顺"-方向,可以在有需要时,根据有时 会存在之保护组R801或胺基保护组R902之分解,由式 Ib及Ic之游离化合物制备。 11.根据申请专利范围第10项所述之化合物,其中R4 不代表氢。 12根据申请专利范围第11项所述之化合物,其中同 分异构体最少超额达95%。 13.根据申请专利范围第10项至第12项中任一项所述 之化合物,其中R801为氢、低烷基、苯基、苯基低 烷基或低烷氧低烷基,或R6及R7共同形成一个键,而R 5及R8共同与其结合之碳原子,形成一个芳香性之环 系统,或其中之R801与R901共同形成一C3-C4-烯烃链。 14.根据申请专利范围第10项至第13项中任一项所述 之化合物,其中R1及R2各代表氢,或共同代表甲基组 。 15.根据申请专利范围第1项之通式Xa所述之化合物, 以及藉由清除有时存在及及/或采用式Xa化合物之 保护组,可制得之式Xa游离胺及酸附加盐类,其中在 环骨架5-位置中之含硫取代组,及3-位置中之羟基 组,互相作为一个"反"-方向时,而其中环性骨架4-位 置之取代组R4,及在3-位置之羟基-组,互相为"顺"-方 向。 16.根据申请专利范围第15项之通式Xa所述之化合物 ,其在环状基本骨架中,含有一个二级之氮原子,而 其藉由一个三级-丁氧羰基保护组保护。 17.根据申请专利范围第15项之通式Xa所述之化合物 ,其中R901代表氢,或共同与R801形成一个C3-C4-烷基链 。 18.一种用作还原性去硫作用之方法,其将申请专利 范围第1项中通式Xa烷基-硫醯亚胺基-化合物还原 性去硫化,其特征为,使用碘化鏾(Ⅱ)作为还原剂; 19.一种用作制备立体化学性控制、氮杂环性化合 物之方法,其特征为,加入(Rs)-4(S)-异丙基-2-p-甲苯 基-4,5-二羟{1,26,3}恶唑-2-氧化物、(Ss)-4(S)-异 丙基-2-p-甲苯基-4,5-二羟-[1,26,3]-恶唑-2-氧化 物、(Rs)-4(R)-异丙基2-p-甲苯基-4,5-二羟-[1,26,3]- 恶唑-2-氧化物,及(Ss)-4(R)-异丙基-2-p-甲苯基-4,5- 二羟[1,26,3]-恶唑-2-氧化物。 20.一种用作制备立体化学性控制、氮杂环性化合 物之方法,其特征为,加入[Ss,N(1S)]-N-[1-[(三级-丁酯 二甲基硅烷基)氧]甲基]2-甲基丙基]-S-7基-S-(4-甲基 苯基)硫乙二醯亚胺,及[Rs,N(1S)]-N-[1-[(三级-丁基二 甲基硅烷基)氧]甲基]2-甲基丙基]-S-甲基-S-(4-甲基 苯基)氧硫醯胺。 |
