| 主权项 |
1.一种高导电奈米薄膜之制造方法,包含有下列步 骤: 准备一基板; 于该基板之一面上,布设多数具良好导电性之奈米 管或奈米线,使该等奈米管或奈米线直立于该基板 上; 以具有预定黏稠度之高分子树脂材料填充于该等 奈米管或奈米线间并固化之,以连结该等奈米管或 奈米线而形成一高导电奈米薄膜,该薄膜具有一连 结于该基板上之第一端、及一位于第一端之相对 端之位置上之第二端; 除去该薄膜第二端处之部份高分子材料,使该第二 端之奈米管或奈米线露出。 2.依申请专利范围第1项所述之高导电奈米薄膜之 制造方法,其中,该基板系由非导磁材料所制成;而 使该等奈米管或奈米线直立于该基板上之方法,系 先将该基板置于一磁铁平板上,在该基板上洒上该 等奈米管或奈米线,再以蒸镀、溅镀或电镀技术在 该等奈米管或奈米线上被覆导磁材料,如铁、镍等 ,使该等奈米管或奈米线具有导磁性,受该磁铁平 板之磁场作用而分别直立于该基板上。 3.依申请专利范围第1项所述之高导电奈米薄膜之 制造方法,其中,该等奈米管或奈米线系为奈米碳 管或奈米碳线。 4.依申请专利范围第1项所述之高导电奈米薄膜之 制造方法,其中,该基板系以矽制成,而在该基板上 布设直立于该基板上之奈米管的方法,系预先于该 基板上设置多数呈预定排列形态分布之触媒点;再 将该基板置于一化学气相沈积(CVD)管中,并在适当 之温度下导入含碳成分气体,使该等触媒上长成有 多数直立之奈米管。 5.依申请专利范围第4项所述之高导电奈米薄膜之 制造方法,其中,该等触媒点之形成方法,系先利用 蒸镀、溅镀或电镀方式于该基板之一面上形成一 层触媒,如Fe或Ni等,再以HF dipping或NH3 pretreatment蚀 刻该层触媒,使该层触媒形成依预定排列形态分布 之触媒点。 6.依申请专利范围第1项所述之高导电奈米薄膜之 制造方法,其中,该高分子树脂材料系为环氧树脂 。 7.一种高导电奈米薄膜式探针卡之制造方法,包含 有下列步骤: 准备一基板; 于该基板之一面上,布设多数具良好导电性之奈米 管或奈米线,使该等奈米管或奈米线直立于该基板 上; 以具有预定黏稠度之高分子树脂材料填充于该等 奈米管或奈米线间并固化之,以连结该等奈米管或 奈米线而形成一高导电奈米薄膜,该薄膜具有一连 结于该基板上之第一端、及一位于第一端之相对 端之位置上之第二端; 除去该薄膜第二端处之部份高分子材料,使该第二 端之奈米管或奈米线露出; 移除该基板,同时准备一陶瓷基板,该基板一面具 有多数导接点,另一面则具有多数金属凸块,且该 等金属凸块系分别与该等导接点导通; 将该薄膜组装于该陶瓷基板上,使该其第一端处之 预定奈米管或奈米线接触于该陶瓷基板上之导接 点上; 以蚀刻技术在该薄膜之第二端相对于各该导接点 位置处分别形成凹洞,并于各该凹洞上分别填设一 金属凸块。 8.依申请专利范围第7项所述之高导电奈米薄膜式 探针卡之制造方法,其中,系以研磨之方式除去该 薄膜第二端处之部份高分子材料。 9.依申请专利范围第7项所述之高导电奈米薄膜式 探针卡之制造方法,其中,系以蚀刻之方式除去该 薄膜第二端处之部份高分子材料。 10.依申请专利范围第7项所述之高导电奈米薄膜式 探针卡之制造方法,其中,该陶瓷基板上之金属凸 块分别位于所在面上相对于该等导接点之位置上 。 11.依申请专利范围第10项所述之高导电奈米薄膜 式探针卡之制造方法,其中,该陶瓷基板上之各导 接点与各金属凸块间系分别以一镀通孔连通。 12.一种高导电奈米薄膜式探针卡,其包含有: 一陶瓷基板,该基板一面上具有多数导接点,另一 面则设有多数金属凸块,且各该导接点导通各该金 属凸块; 一高导电奈米薄膜,包含有多数呈预定间距相隔且 大致上相互平行之多数奈米管或奈米线;该薄膜系 一端接设于该基板上具有该等导接点之一面上,且 该端处之预定奈米管奈米线端部系导接于该等导 接点上; 多数探针,系为结合于该薄膜之另一端上相对应于 该等导接点位置上之多数金属凸柱。 13.依申请专利范围第12项所述之高导电奈米薄膜 式探针卡,其中,该等金属凸块分别位于所在面上 相对于该等导接点之位置上。 14.依申请专利范围第12项所述之高导电奈米薄膜 式探针卡,其中,各该导接点与各该金属凸块间各 藉由一镀通孔导通。 图式简单说明: 第一图A-B 系本发明第一较佳实施例方法第一步骤 之示意图 第二图 系本发明第一较佳实施例第二步骤之示意 图 第三图 系本发明第一较佳实施例第三步骤之示意 图 第四图A-C及第五图A-B 系分别为本发明第一较佳实 施例第四步骤所述之陶瓷基板之立体图及剖视图 第六图 系本发明第一较佳实施例第五步骤之示意 图 第七图A-B 系分别为本发明第一较佳实施例第六步 骤之示意图 第八图A-C 系分别为本发明第二较佳实施例第一步 骤之示意图 |
