| 主权项 |
1.一种以矽为基材之微机电射频开关制作方法,该 方法包括: 涂布一元件层于一矽基板上,该元件层上层为上金 属层,再于该上金属层上涂布一钝态层(passivation layer),该元件层下层为一氧化矽层; 蚀刻该钝态层系由该上金属层之上端; 形成一缺口,系由该上金属层蚀刻至复数个栓塞层 之上端; 形成一空窗区,系沿着该缺口蚀刻至该元件层内; 形成一凹槽,系沿着该空窗区向下蚀刻至该矽基板 内; 移除该复数个栓塞层,使该上金属层形成一趬曲结 构;及 形成复数个覆盖金属层于该上金属层之趬曲结构 两侧及该元件层上。 2.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该矽基板系为一般互补 性氧化金属半导体(CMOS)制程中之矽基板。 3.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该蚀刻步骤系以乾式蚀 刻之方式。 4.如申请专利范围第3项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该乾式蚀刻系进一步为 微面型加工(surface micro machining)技术所蚀刻。 5.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该移除步骤系以湿式蚀 刻。 6.如申请专利范围第5项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该湿式蚀刻系进一步为 微体型加工(bulk micro machining)技术所蚀刻。 7.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该上金属层之材料为铝 。 8.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该趬曲结构系为该材料 本身残留应力所产生。 9.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该覆盖金属层系使用无 电极电镀技术所形成。 10.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该覆盖金属层之材料系 为金。 11.如申请专利范围第1项所述之以矽为基材之微机 电射频开关制作方法,其中该元件层进一步包括; 涂布一第一氧化矽层于该矽基板上; 形成一接触层于该第一氧化矽层上; 涂布一第一金属层于该第一氧化矽层上; 涂布一第二氧化矽层于该第一金属层上,再于该第 二氧化矽层上蚀刻一缺口,接着注入一栓塞材料形 成一栓塞层; 涂布一第三氧化矽层于该第二氧化矽层上,再于该 第三氧化矽层上蚀刻复数个缺口,接着注入复数个 金属材料形成复数个第二金属层; 涂布一第四氧化矽层于该第三氧化矽层上,再于该 第四氧化矽层上蚀刻复数个缺口,接着注入复数个 栓塞材料形成复数个栓塞层; 涂布一第五氧化矽层于该第四氧化矽层上,再于该 第五氧化矽层上蚀刻复数个缺口,接着注入复数个 金属材料形成复数个上金属层;及 涂布该钝态层于该第五氧化矽层上。 12.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该形成接触层步骤中 ,更进一步包括蚀刻一缺口于该第一氧化矽层上, 接着注入一金属材料形成该接触层。 13.如申请专利范围第12项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该金属材料系为铝。 14.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该第一金属层系作为 导线层。 15.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该栓塞层系作为一牺 牲层。 16.如申请专利范围第15项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该牺牲层材料系为钨 。 17.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该第二金属层系作为 共面波导。 18.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该上金属层系作为制 动器结构。 19.如申请专利范围第11项所述之以矽为基材之微 机电射频开关制作方法,其中该制动器结构材料为 铝。 图式简单说明: 第一图系为习知之微机电射频开关示意图;及 第二A图至第二E图系为本发明之微机电射频开关 之实施例制程示意图。 |
