| 主权项 |
1.一种晶圆蚀刻夹持治具,用于固定一晶圆以便于 该晶圆之背面进行蚀刻,该晶圆之正面可包括有元 件;该晶圆蚀刻夹持治具至少包含: 一底座,具有一倒形截面之外环型槽、一倒形 截面之内环型槽、一外密封环嵌设于该外环型槽 中;一内密封环嵌设于该内环型槽中并可与该晶圆 正面之周缘接触;一晶圆槽,以容纳晶圆; 一上盖,系一对应该底座周缘之环状物,具有一倒 形截面之上环型槽、一上密封环与底座之内密 封环相对,嵌设于该上环型槽中并可与该晶圆背面 之周缘接触; 一探针,与晶圆之中心点接触,以加偏压于晶圆,亦 作监测电容之电极之一; 一金属片槽,位于与晶圆中央表面相对之底座上, 以容置一金属片形成监测电容之另一电极; 一监测单元,包括设于该底座之一探针及一金属片 ,该探针及该金属片分别经由导线连接至一监控器 ,使该探针可与该晶圆表面接触而与该金属片之间 形成电容; 复数个固接单元,用于固接该底座及该上盖,使该 内密封环及该上密封环分别与该晶圆之正面及背 面之周缘紧密接触; 一握柄,为底座之一部分,于夹持治具浸入蚀刻槽 时露出液面,自探针引出之导线连至接触垫,于握 柄置于蚀刻槽上时自动与偏压电源接触导通。 2.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该固接单元系复数个螺件,且该底座及该上盖周缘 对应设有复数个下螺孔及上螺孔,可与该螺件螺合 。 3.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该底座具有一晶圆槽,用以容置该晶圆之元件。 4.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该底座具有一容置有该探针之探针孔。 5.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该底座具有一连接线通孔,用以容置该探针及该金 属片之导线。 6.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该探针及该金属片之导线形成电极连接座连接一 恒电容计以侦测探针与晶圆是否接触,该探针可连 接至一电压源以提供偏压给晶圆作为蚀刻时之偏 压。 7.如申请专利范围第1项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该倒形截面之外环型槽及外密封环可设于上盖 。 8.一种晶圆蚀刻夹持治具,用于固定一晶圆以便于 该晶圆之背面进行蚀刻,该晶圆之正面可包括有元 件;该晶圆蚀刻夹持治具至少包含: 一底座,其上侧具有一倒形截面之外环型槽、一 倒形截面之内环型槽、一外密封环嵌设于该外 环型槽中;一内密封环嵌设于该内环型槽中并可与 该晶圆正面之周缘接触;一晶圆槽,以容纳圆槽;与 上侧相对之反面之下侧亦与上侧设置相同之外环 型槽、内环型槽、外密封环、内密封环、晶圆槽; 二个上盖,系一对应该底座周缘之环状物,具有一 倒形截面之上环型槽、一上密封环与底座之内 密封环相对,嵌设于该上环型槽中并可与晶圆背面 之周缘接触;每一上盖分别与底座之上侧及下侧固 接,以密封二片晶圆; 二支探针,与各晶圆之中心点接触,以加偏压于晶 圆,亦作监测电容之电极之一; 二金属片槽,位于与晶圆中央表面相对之底座上, 以容置金属片形成监测电容之另一电极; 二监测单元,包括设于该底座之二支探针及二金属 片,该探针及该金属片分别经由导线连接至一监控 器,使该探针可与该晶圆表面接触而与该金属片之 间形成电容; 复数个固接单元,用于固接该底座及该上盖,使该 内密封环及该上密封环分别与该晶圆之正面及背 面之周缘紧密接触; 一握柄,为底座之一部分,于夹持治具浸入蚀刻槽 时露出液面,自探针引出之二导线连至二接触垫, 于握柄置于蚀刻槽上时自动与偏压电源接触导通 。 9.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其中 该固接单元系复数个螺件,且该底座及该上盖周缘 对应设有复数个下螺孔及上螺孔,可与该螺件螺合 。 10.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其 中该底座具有一晶圆槽,用以容置该晶圆之元件。 11.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其 中该底座具有一容置有该探针之探针孔。 12.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其 中该底座具有一连接线通孔,用以容置该探针及该 金属片之导线。 13.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其 中该探针及该金属片之导线形成电极连接座连接 一恒电容计以侦测探针与晶圆是否接触,该探针可 连接至一电压源以提供偏压给晶圆作为蚀刻时之 偏压。 14.如申请专利范围第8项之晶圆蚀刻夹持治具,其 中该倒形截面之外环型槽及外密封环可设于上 盖。 图式简单说明: 第1图 为本发明晶圆蚀刻夹持治具之外观图。 第2图 系本发明晶圆蚀刻夹持治具之底座图。 第3图 为本发明晶圆蚀刻夹持治具之剖面图。 第4图 为本发明晶圆蚀刻夹持治具之密封环组合 剖面图。 第5图 为蚀刻夹持治具浸入蚀刻槽之方式。 第6图 为本发明双晶圆蚀刻夹持治具之剖面图。 |
