发明名称 | 研磨液组合物 | ||
摘要 | 一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物,包含在水基介质中的硅石微粒,其中所述硅石微粒满足用透射型电子显微镜(TEM)观察测定得到的该硅石微粒的数基平均粒径与数基标准偏差之间的特定关系,且其中在该硅石微粒的粒径60~120nm范围内累积体积频度与粒径之间满足一种特定关系;一种记忆硬盘用基板的微小起伏降低方法,包含用该研磨液组合物对记忆硬盘用基板进行研磨的步骤;一种记忆硬盘用基板的制造方法,包含用该研磨液组合物对镀Ni-P的记忆硬盘用基板进行研磨的步骤;该方法适合用于记忆硬盘用基板等精密部件用基板的制造。 | ||
申请公布号 | CN1519293A | 申请公布日期 | 2004.08.11 |
申请号 | CN200410004018.5 | 申请日期 | 2004.02.05 |
申请人 | 花王株式会社 | 发明人 | 末永宪一;大岛良晓;萩原敏也 |
分类号 | C09K3/14;B24B7/00 | 主分类号 | C09K3/14 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘元金;庞立志 |
主权项 | 1.一种记忆硬盘用基板用的研磨液组合物,包含在水基介质中的硅石微粒,其中所述硅石微粒当用透射型电子显微镜(TEM)观察测定时所得到的该硅石微粒的数基平均粒径(r)与数基标准偏差(σ)之间的关系满足以下式(1): σ≥0.3×r (1)式中r是数基平均粒径(nm)、σ是数基标准偏差(nm),且其中该硅石微粒在粒径60~120nm范围内的累积体积频度(V)与粒径(R)之间的关系满足以下式(2)和(3): V≥0.5×R (2) V≤0.25×R+75 (3)式中R是硅石微粒的粒径(nm),V是硅石微粒从小粒径侧起的累积体积频度(%)。 | ||
地址 | 日本东京都中央区 |