发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 在本发明的半导体器件中,在晶片的划分线区以网格排列方式形成多个假图形,以及在晶片的芯片内部区以对角前向跳跃排列方式形成多个假图形。芯片内部区和划分线区中的假图形的排列改变使得在芯片内部区形成更大均匀性的假图形以及在划分线区中形成能更强地阻止切割时出现的废料损失的假图形。
申请公布号 CN1519908A 申请公布日期 2004.08.11
申请号 CN200310120446.X 申请日期 2003.12.11
申请人 恩益禧电子股份有限公司 发明人 松本明;井口学;深濑匡
分类号 H01L21/70 主分类号 H01L21/70
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;陆弋
主权项 1.一种半导体器件,包括:在晶片上形成的提供功能元件的芯片内部区,以及在所述晶片上形成的用来作为切割所述晶片时的切割空间的划分线区;在所述芯片内部区中形成的以对角前向跳跃排列方式排列的多个假图形;在所述划分线区中形成的以网格形式排列的多个假图形。
地址 日本神奈川