发明名称 |
以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体及该发热体的制造方法,所说的发热体含有70%以上的MoSi<SUB>2</SUB>,该发热体的整体平均密度与相当于发热体直径1/5的中心部的密度之差(真密度比)在5%以下,优选在3%以下,上述发热体的制造方法是在预烧结工序中按照适当调节升温速度的温度模型进行烧结。本发明可以提高以MoSi<SUB>2</SUB>为主成分的发热体的耐久性并能抑制在制造工序中缺陷的产生。 |
申请公布号 |
CN1162045C |
申请公布日期 |
2004.08.11 |
申请号 |
CN00800192.8 |
申请日期 |
2000.02.17 |
申请人 |
株式会社日矿材料 |
发明人 |
高垣大辅;高村博 |
分类号 |
H05B3/14 |
主分类号 |
H05B3/14 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢新华;钟守期 |
主权项 |
1.一种以MoSi2为主成分的发热体的制造方法,其特征在于,该发热体的整体平均密度与相当于该发热体直径1/5的中心部的密度的真密度比在5%或以下,该方法包括的步骤为:使含有70重量%以上MoSi2的发热材料,在温度升到1000-1300℃后,在5~15小时内慢慢升温到从至少1350℃到1650℃的范围内,对所述发热体进行预烧结,直到发热体材料的整体平均密度与相当于该发热体材料直径1/5的中心部的密度的真密度比变成5%以下为止,然后对其进行通电烧结。 |
地址 |
日本东京都 |