发明名称 | 模拟开关 | ||
摘要 | 本发明涉及一种由双极晶体管器件形成的集成电路双向开关,其中饱和电压被刻意降低。更为特别的是,利用绝缘氧化物形成集成的NPN双极晶体管,而电流流动的正常方向是从发射极到集电极,而且利用绝缘氧化物形成集成的PNP双极晶体管,电流流动的正常方向是从集电极到发射极。 | ||
申请公布号 | CN1161840C | 申请公布日期 | 2004.08.11 |
申请号 | CN99816073.3 | 申请日期 | 1999.11.29 |
申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | R·戈尔德曼;D·米勒斯 |
分类号 | H01L27/082;H03K17/66 | 主分类号 | H01L27/082 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
主权项 | 1.一种集成电路双向开关,包含:一个反向连接的电气隔离的NPN双极晶体管,其中电流主要从发射极流向集电极;一个反向连接的电气隔离的PNP双极晶体管,其中电流主要从集电极流向发射极;所述两个双极晶体管的发射极相互连接,以及集电极也相互连接;通过采用半导体结构中的水平隔离层和隔离槽,所述NPN晶体管和PNP晶体管彼此之间、以及和集成电路中其它器件之间都是电气隔离的;而且所述开关还包含:向其提供输入控制信号和参考信号的装置。 | ||
地址 | 瑞典斯德哥尔摩 |