| 发明名称 | 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中，岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上，且岛状的应变硅主动层彼此分隔。 | ||
| 申请公布号 | CN1519900A | 申请公布日期 | 2004.08.11 |
| 申请号 | CN200410000470.4 | 申请日期 | 2004.01.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 杨育佳;胡正明 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/772;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管的制造方法，包括：提供一应变硅覆绝缘层型基底，其具有一应变硅层、一绝缘层和一基底的迭层结构；以及将该应变硅层定义出一有源区，并露出该有源区周围的该绝缘层的表面，以形成一岛状的应变硅主动层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||