发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
在一种制造半导体器件的方法中,在半导体晶片的正面上形成具有电路的多个芯片形成区的步骤后,且在各芯片形成区上形成凸点电极的步骤前,提供在半导体晶片的背面侧上对应于各芯片形成区的区域中形成识别标记的步骤。 |
申请公布号 |
CN1161832C |
申请公布日期 |
2004.08.11 |
申请号 |
CN00104993.3 |
申请日期 |
2000.04.07 |
申请人 |
株式会社日立制作所 |
发明人 |
宫本俊夫;田中英树;西村朝雄 |
分类号 |
H01L21/48;H01L21/60;H01L23/544 |
主分类号 |
H01L21/48 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:提供具有主表面和与所述主表面相反的背面的半导体晶片,所述半导体晶片包括由划片线确定的多个芯片形成区,所述多个芯片形成区的每一个都具有一个集成电路和其主表面上的电极焊盘;在所述半导体晶片的所述主表面上形成多个凸点电极,使得所述多个凸点电极分别电连接于所述电极焊盘并伸出所述电晶片的所述主表面;在形成所述多个凸点电极之后,沿着所述划片线切割所述半导体晶片形成多个半导体芯片,从而形成各具有对应的凸点电极的所述多个半导体芯片;其特征在于:所述方法还包括在所述半导体晶片的所述背面形成识别标记从而使得所述识别标记对应于所述多个芯片形成区的步骤;并且在形成所述多个凸点电极前进行形成识别标记的步骤,从而提供各具有对应的凸点电极和对应的识别标记的所述多个半导体芯片。 |
地址 |
日本东京 |