半导体集成电路装置及其检查方法和制造方法

摘要

一种半导体集成电路中，通过把衬底偏置控制装置102设置为第1状态，在MOS晶体管中流过大电流，把衬底偏置控制装置设定为第2状态，把上述大电流控制为较小的值，进行控制使得第2状态时提供给第1被控制电路的衬底偏置的值是比第1状态时对于PMOS晶体管的衬底偏置高的电压值，是对于NMOS晶体管的衬底偏置低的电压值，第2状态时提供给第1被控制电路的电源电压比该第1状态时小。

主权项

1.一种半导体集成电路装置的检查方法，具有至少包括一个MOS晶体管的第1被控制电路和产生上述MOS晶体管的衬底偏置电位的衬底偏置控制装置，通过把上述衬底偏置控制装置设置为第1状态，允许在上述MOS晶体管的漏源极之间流过比较大的第1电流，通过把上述衬底偏置控制装置设置为第2状态，在上述MOS晶体管的漏源极之间流过比上述比较大的第1电流小的第2电流，特征在于：在上述第2状态时提供到上述第1被控制电路的衬底偏置的值是比上述第1状态时对于PMOS晶体管的衬底偏置相同或者高的电压值，是对于NMOS晶体管的衬底偏置相同或者低的电压值，在上述第2状态时提供给上述第1被控制电路的电源电压是比上述第1状态时小的值，根据上述第2状态时在上述MOS晶体管的漏源极之间流过的电流值选择上述半导体集成电路装置。