发明名称 Low power state retention
摘要 An integrated circuit having a state retentive memory structure to store state values. A high performance section uses thin gate-oxide transistors and the state retentive memory structure uses thick gate-oxide transistors to capture and retain the state values when operating in a low power mode.
申请公布号 US6775180(B2) 申请公布日期 2004.08.10
申请号 US20020329124 申请日期 2002.12.23
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 BIYANI MANISH;CLARK LAWRENCE T.;DEMMONS SHAY P.;RICCI FRANCO
分类号 G11C5/14;(IPC1-7):G11C11/00 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利