| 发明名称 |
Halbleiterstruktur mit einer reduzierten Anschlußkapazität sowie ein Verfahren zum Herstellen der Halbleiterstruktur |
| 摘要 |
<p>Eine Halbleiterstruktur weist ein Substrat und eine Anschlußoberfläche auf, wobei das Substrat einen Oxidbereich unterhalb der Anschlußfläche aufweist, der ausgebildet ist, um eine Koppelkapazität zwischen dem Substrat und der Anschlußfläche zu reduzieren.</p> |
| 申请公布号 |
DE10302623(A1) |
申请公布日期 |
2004.08.05 |
| 申请号 |
DE2003102623 |
申请日期 |
2003.01.23 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
TADDIKEN, HANS;KRUMBEIN, ULRICH;HERZUM, CHRISTIAN;KUEEHN, CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L23/485;(IPC1-7):H01L23/50;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L23/485 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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