Halbleiterspeichervorrichtung mit Doppelzelleneinheiten

摘要

Jede der Doppelzellen (101#), von denen jede aus zwei DRAM-Zellen gebildet ist, enthält eine Zellplatte (130#), die elektrisch von den Zellplatten (130#) in den anderen Doppelzelleneinheiten (101#) getrennt ist. Dadurch können Spannungen an zwei Speicherknoten (140), die zueinander komplementäre Daten in derselben Doppelzelleneinheit speichern, sich durch die kapazitive Kopplung ähnlich zueinander ändern.