Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Kontaktkörper, der sich in Richtung einer Bitleitung zu einem Kontaktspeicherknotenpunkt erstreckt

摘要

Es ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Kontaktkörpern offenbart, die sich in der Richtung der Bitleitungen erstrecken, um einen Kontakt mit Speicherknotenpunkten zu bilden, wonach Öffnungen vom Bandtyp durch selektives Ätzen einer Isolierschicht, welche die Bitleitungen bedeckt, ausgebildet werden. Die Bandtypöffnungen erstrecken sich in einer Längsrichtung der Gateleitungen, um erste Kontaktflecke freizulegen, und besitzen Abschnitte, die in einer Längsrichtung der Bitleitungen vorragen. Das Verfahren umfaßt auch die Ausbildung einer leitenden Schicht auf der Isolierschicht, welche die Bandtypöffnungen füllt und die elektrisch mit den ersten Kontaktflecken verbunden sind. Die leitende Schicht wird dann in ein Muster gebracht, um die leitende Schicht in individuelle Speicherknotenpunkt-Kontaktkörper aufzutrennen, die sich in einer Längsrichtung der Bitleitungen erstrecken. Die Speicherknotenpunkte werden dann auf den Speicherknotenpunkt-Kontaktkörpern ausgebildet.