| 发明名称 | 表面声波装置 | ||
| 摘要 | 一种利用其主要分量是纵波分量的第二代漏式表面声波的表面声波装置，该装置包括LiTaO<SUB>3</SUB>基底和形成在LiTaO<SUB>3</SUB>基底上的导电膜，导电膜的密度ρ是约2699kg/m<SUP>3</SUP>至约19300kg/m<SUP>3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1518218A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410001364.8 | 申请日期 | 2004.01.07 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 神藤始;门田道雄 |
| 分类号 | H03H9/64 | 主分类号 | H03H9/64 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1、一种利用其主要分量是纵波分量的第二代漏式表面声波的表面声波装置，该装置包括：LiTaO3基底；和布置在LiTaO3基底上的导电膜，其中，导电膜的密度ρ是约2699kg/m3至约19300kg/m3。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||