由多个电阻性铁电存储单元构成的存储装置

摘要

本发明涉及由多个电阻性铁电存储器单元构成的存储装置，各存储单元均由一只选择晶体管(T)和一只存储电容器(Cferro)构成，电容器的一个电极(PL)处于固定的单元极板电压(VPLATTE)，而另一电极(SN)与选择晶体管(T)的具有第一导电类型的第一区(1)连接，其中在与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体衬底内或上，提供选择晶体管(T)和存储电容器(Cferro)。在该存储装置，存储电容器(Cferro)的另一电极(SN)经一电阻(R)与加有单元极板电压(VPLATTE)的导线(5)连接。

主权项

1.由多个电阻性铁电存储单元构成的存储装置，该存储单元由各一只选择晶体管(T)和一只存储电容器(Cferro)构成，电容器的一电极(PL)位于一固定的单元极板电压上，而其另一电极(SN)与具有第一导电类型的选择晶体管第一漏区(1)连接，其中在与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体本体内或上设有选择晶体管(T)和存储电容器(Cferro)，字线(WL0，WL1，WL2，WL3)在选择晶体管(T)的漏区(1)和源区(2)之间的沟道区上延伸，且选择晶体管(T)的源区(2)与字线(BL0，bBL0，BL1，BbL1)相连，其特征为：存储电容器(Cferro)另一电极(SN)经一电阻(R)与加单元极板电压(VPLATTE)的导线(5)连接，所述导线由第一导电类型的高掺杂区构成。