| 发明名称 | 薄膜制备方法和淀积设备 | ||
| 摘要 | 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1160483C | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN97102271.2 | 申请日期 | 1997.01.17 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 幸田勇藏;冈部正太郎;金井正博;酒井明;芳里直;西元智纪;矢岛孝博 |
| 分类号 | C23C16/54;C23C16/50;G03G5/08;H01J37/32;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/36;H01L31/04 | 主分类号 | C23C16/54 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种淀积设备，其中在等离子体CVD装置的等离子体放电空间安装的功率施加电极的表面积大于接地电极的总表面积。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||