发明名称 闸流体结构及具此闸流体结构之过电压保护装置
摘要 本发明系关于一闸流体结构,包括一第一连接(1),用以做为一第一导电型态之一第一区域。第二导电型态之一第二区域(2)邻近该第一区域(1)。第一导电型态之一第三区域(3),其比第二区域(2)宽,具有与后者之一共同表面。做为一第四区域之第二导电型态之一第二连接(4)邻近该第三区域。一辅助电极(6,7)位于该第二区域(2)与该第三区域(3)之该共同区域上,该电极于该二区域之至少一者相接邻。
申请公布号 CN1518769A 申请公布日期 2004.08.04
申请号 CN02806248.5 申请日期 2002.02.15
申请人 因芬尼昂技术股份公司 发明人 C·彼德斯
分类号 H01L27/02 主分类号 H01L27/02
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;张志醒
主权项 1.一种闸流体结构,具有:一第一端(1)被形成做为一第一区域,具有一第一导电形态;第二导电型态之一第二区域(2),其邻近该第一区域(1);第一导电型态之一第三导电区域(3),其邻近该第二区域(2)并与后者具有一共同表面(8),以及一第二端(4),做为第二导电型态之第四区域,邻近该第三区域,于该情况中,该第二区域(2)及该第三区域(3)之共同表面处,一辅助电极(6,7)以邻近该二区域之至少一者的方式设置,特征在于一辅助电极(6,7)以位于第二区域(2)与第三区域(3)之共同表面(8)之上的方式邻近该第二区域(2)及该第三区域(3)。
地址 德国慕尼黑