| 发明名称 | 薄膜器件的剥离方法 | ||
| 摘要 | 在基板(100)预先设置分离层(120)，在该基板上形成TFT等的薄膜器件(140)。在该薄膜器件(140)的形成过程中，对分离层(120)注入促进剥离用离子、例如氢离子。在薄膜器件(140)的形成后，最好在通过粘接层(160)将薄膜器件(140)接合到转移体(180)后，从基板一侧照射激光。由此，在分离层(120)中利用促进剥离用离子的作用，使剥离发生。使该薄膜器件(140)从基板(100)脱离。由此，可将所希望的薄膜器件转移到任一种基板上。 | ||
| 申请公布号 | CN1160800C | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN99800173.2 | 申请日期 | 1999.02.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 井上聪;下田达也 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/136 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;傅康 |
| 主权项 | 1.一种薄膜器件的剥离方法，具有：在基板上形成分离层的第1工序；在上述分离层上形成包含具有漏区和源区的薄膜晶体管的薄膜器件的第2工序；以及在上述分离层的层内和/或界面上使剥离现象发生，使上述基板从上述分离层剥离下来的第3工序，其特征在于：在上述第3工序之前，设置了将杂质离子注入到上述漏区和源区中的至少一个区中，并将离子注入到上述分离层的离子注入工序；在上述离子注入工序中，将注入到上述漏区和源区的至少一个区中的杂质离子和注入到上述分离层的上述离子，同时注入。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||