| 发明名称 | CVD用原料化合物及其制造方法及铱或铱化合物薄膜的化学气相蒸镀法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及以有机铱化合物为主成分的CVD用原料化合物，有机铱化合物是式1表示的三(2，4－辛二酮)铱形成的CVD用原料化合物。特别好的是该CVD用原料化合物仅由三(2，4－辛二酮)铱的反式体组成。 | ||
| 申请公布号 | CN1517447A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410003319.6 | 申请日期 | 2004.01.20 |
| 申请人 | 田中贵金属工业株式会社 | 发明人 | 寒江威元;谷内淳一 |
| 分类号 | C23C16/18 | 主分类号 | C23C16/18 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 1.CVD用原料化合物，该化合物以有机铱化合物为主成分，其特征在于，前述有机铱化合物由下式表示的三(2，4-辛二酮)铱组成。<u>式1</u><img file="A20041000331900021.GIF" wi="640" he="523" /> | ||
| 地址 | 日本东京 | ||