电容值测定用电路及布线特性的分析方法

摘要

本发明的电容值测定用电路中，PMOS晶体管(MP2)和NMOS晶体管(MN2)的漏极之间的端子(P2)与节点(N1)电连接，在节点(N1)和节点(N2)之间作为测定电容形成部形成了耦合电容(Cc)。节点(N2)经由端子(P2)与NOMS晶体管(MN3)连接到焊盘(58)，在POMS晶体管(MP1)和NMOS晶体管(MN1)的漏极之间的端子(P3)与节点(N3)相连。在节点(N3)上设置基准电容(Cref)作为伪电容。通过电流计(61)与电流计(62)分别测定从电源分别供给节点(N3)与节点(N1)的电流(Ir)与电流(It)，且通过电流计(63)测定从节点(N2)感应的流入接地电平的电流(Im)。从而，得到可将测定目标的电容成分分离后进行测定的CBCM用电路。

主权项

1.一种电容值测定用电路，其中：设有第一～第三端子，对供给所述第一端子的第一电流加以检测的第一电流检测部，对从所述第二端子感应的第二电流加以检测的第二电流检测部，以及对供给所述第三端子的第三电流加以检测的第三电流检测部；所述第一端子附带第一电容，所述第一电容包含成为测定目标的第一与第二电容成分和测定目标外的目标外电容成分，所述第三端子附带伪电容，所述伪电容表示与所述目标外电容成分相同的电容值；为了使所述第一端子附带所述第一电容成分，还设有在所述第一端子和所述第二端子之间设置的测定电容形成部，所述测定电容形成部与所述第一～第三端子和所述第一～第三电流检测部共同构成电容值测定部。