一种基于CMOS工艺的承载大电流的二极管版图结构

摘要

本实用新型是一种基于CMOS工艺的承载大电流的二极管版图结构。现有技术的二极管版图结构在CMOS工艺中发生Latch－up效应，尤其在承载大电流时。本实用新型中所描述的版图结构针对Latch－up效应发生的条件，通过扩大环绕整个器件的P+保护环的宽度，把二极管的正极P+注入环绕在NWELL注入的边缘，负极N+注入在NEWLL注入的内部，大大提高了在相同面积下周长面积比，有效的防止在大电流情况下Latch－up效应的发生。

主权项

1、一种基于CMOS工艺的承载大电流的二极管版图结构，其特征是在现有的二极管版图结构上，正极P+注入位置与负极N+注入位置互换，即二极管的正极P+注入是在NWELL注入的边缘，负极N+注入在NWELL注入的内部。