| 发明名称 | 适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法。在一半导体衬底上设置一紧密接触层，该紧密接触层由选自难熔金属、难熔金属合金、难熔金属氮化物和难熔金属的硅氮化物构成的集合中的一种材料制成。在该紧密接触层表面上设置一氧化物表面层，该氧化物表面层由构成紧密接触层的材料的氧化物制成。在氧化物表面层的表面上设置第一导电层，该第一导电层由铂族或含有铂族的合金制成。当在紧密接触层上形成由金属如铂族制成的导电层时，可抑制涂层和形态的恶化。 | ||
| 申请公布号 | CN1518109A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410002845.0 | 申请日期 | 2004.01.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 西川伸之;南方浩志;角田浩司;吉田英司 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/04;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：置于半导体衬底上的紧密接触层，其由选自难熔金属、难熔金属合金、难熔金属氮化物和难熔金属的硅氮化物构成的集合中的一种材料制成；置于该紧密接触层表面的氧化物表面层，其由构成该紧密接触层的材料的氧化物制成；置于该氧化物表面层表面上的第一导电层，其由铂族或含有铂族的合金制成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||