| 发明名称 | 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 | ||
| 摘要 | 大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一负电极；一硅基后处理电路芯片焊接在正电极和负电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN1518116A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN03101530.1 | 申请日期 | 2003.01.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈弘达;裴为华;毛陆虹;吴荣汉;杜云;唐君;邓晖;梁琨 |
| 分类号 | H01L27/14 | 主分类号 | H01L27/14 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，其特征在于，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在布拉格透射镜上，该正电极是在多量子阱光吸收区的一侧；负电极制作在高反布拉格反射镜上；在正电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一正电极；在负电极上制作有一铟柱，在铟柱上制作一负电极；一硅基后处理电路芯片焊接在正电极和负电极上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||