变更擦除单位而制造的非易失半导体存储装置

摘要

存储块B000～B007是存储量比普通存储块小的引导块与参数块。当不需要引导块时，用焊接选择等方法将信号BOOTE设定至L电平。在擦除时信号BLKSEL为H电平时，控制部分(2)进行横向排列的四个存储块的同时选择。并且，此时控制部分(2)进行纵向的两个存储块的同时选择。结果，进行了8个存储块B000～B007的选择。引导块与参数块可作为具有与普通存储块相同容量的一个存储块而成批擦除。因此，能够以一个芯片同时实现含引导块和不含引导块时的闪速存储器，从而可简化芯片的设计与制造。

主权项

1.一种非易失半导体存储装置，其中设有：多个存储单元矩阵状排列而成的第一基本存储块，它具有成为成批擦除的单位的第一存储量，在具有小于所述第一存储量的第二存储量的一部分上不构成成批擦除的单位；与所述第一基本存储块分开另外设置的、各自有多个存储单元矩阵状排列而成的多个第二基本存储块，它们各自具有所述第二存储量，存储量的总和与所述第一存储量相同；以及擦除控制电路，它按照切换信号切换按照擦除指令擦除所述多个第二基本存储块中的一个存储块的第一操作和按照所述擦除指令成批地擦除所述第二基本存储块的第二操作。