发明名称 | 霍尔型离子辅助蒸发源 | ||
摘要 | 本发明提供了一种霍尔型离子辅助蒸发源,由阴极灯丝(31)、阳极(32)、供气系统、磁路等部件组成,其特征在于:蒸发源通过法兰背板(36)安装在未详细说明的真空室壁上。在蒸发源的上部安装有可发射热电子的阴极灯丝(31),灯丝通过陶瓷绝缘垫(37)与离子源其他部件绝缘;在放电室(38)下部安装了阳极(32),在阳极上构造出装载膜料的坩埚(39),坩埚底部有水冷室(40),阳极通过螺栓(41)与下部的布气板(42)连接;在布气板上构造出环型布气槽(43)。本发明的优点在于:可以用来镀前清洗,在用金属膜料镀制非金属膜时,可以将反应气体直接馈入蒸发源内并使其离化,从而进行反应镀膜,增加反应程度。 | ||
申请公布号 | CN1160477C | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
申请号 | CN02116688.9 | 申请日期 | 2002.04.16 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 杨会生;王燕斌;熊小涛 |
分类号 | C23C14/24 | 主分类号 | C23C14/24 |
代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 1、一种霍尔型离子辅助蒸发源,由阴极灯丝(31)、阳极(32)、供气系统、磁路部件组成,其特征在于:蒸发源通过法兰背板(36)安装在真空室壁上;在蒸发源的上部安装阴极灯丝(31),灯丝用钨、钽材料制造,灯丝通过陶瓷绝缘垫(37)与离子源绝缘;在放电室(38)下部安装了阳极(32),在阳极上构造出装载膜料的坩埚(39),坩埚底部有水冷室(40),阳极通过螺栓(41)与下部的布气板(42)连接;在布气板上构造出环型布气槽(43),在布气槽顶部有沿圆周均匀分布的供气孔(44);工作气体和反应气体由供气管(33)进入环型槽内;在布气板上构造出冷却水的进水口(34)和出水口(35);顶部磁极上部构造出了水冷槽(51)。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 |