| 发明名称 | 具有量子阱的光学器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有量子阱的光学器件。光学器件包括由III－V族半导体化合物构成的并具有带隙分级结构的量子阱的有源层，其中导带能量和价带能量由于预定成分含量的变化以一定斜率线性改变而导带能量和价带能量之间的能量带隙保持于预定值；以及两个势垒层，其中一个设置在有源层的上表面，另一个设置在有源层的下表面，它们都由III－V族半导体化合物构成并具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量。降低了驱动电压并提高了发光效率和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1518137A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410002586.1 | 申请日期 | 2004.01.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋大成 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/343;H01S5/323 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种光学器件，包括：由III-V族半导体化合物构成的并具有带隙分级结构量子阱的有源层，其中导带能量和价带能量由于预定成分的含量变化以一斜率线性改变而导带能量和价带能量之间的能量带隙保持于预定值；以及两个势垒层，其中一个设置在有源层的上表面，另一个设置在有源层的下表面，它们都由III-V族半导体化合物构成并具有比有源层更高的导带能量和更低的价带能量。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||