发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件,在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极,条状电极纵向方向相同,多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中,第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成,另外,并且彼此远离。然后,在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接,在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接,通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接,并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。 | ||
申请公布号 | CN1518106A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
申请号 | CN200410001852.9 | 申请日期 | 2004.01.14 |
申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 |
分类号 | H01L27/04;H01L23/52 | 主分类号 | H01L27/04 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆弋 |
主权项 | 1.一种半导体器件,包括:多个布线层,其彼此之间互相层压;每个所述布线层包括:中间层绝缘膜;第一和第二电极,其掩埋在中间层绝缘膜中,并且彼此远离;第一通孔,其将所述第一电极和本布线层的上层或下层中的所述第一电极彼此连接;以及第二通孔,其将所述第二电极和本布线层的上层或下层中的所述第二电极彼此连接,并且所述第一电极和所述第一通孔连接到第一端子,所述第二电极和所述第二通孔连接到第二端子,以及在所述第一电极和所述第一通孔以及所述第二电极和所述第二通孔之间形成一电容。 | ||
地址 | 日本神奈川 |